Microsemi Corporation APTGF165A60D1G
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APTGF165A60D1G
1619-APTGF165A60D1G
晶体管 - IGBT - 模块
D1
大陆
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IGBT MODULE 600V 230A 781W D1
1最小包装量--
APTGF165A60D1G详情
Microsemi Corporation APTGF165A60D1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
D1
引脚数
7
供应商器件包装
D1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Current-Collector (Ic) (Max)
230A
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
781W
配置
半桥
元素配置
Dual
功率 - 最大
781W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
230A
最大集极截止电流
250μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
输入电容
9nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 200A
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
9nF @ 25V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGF165A60D1G拓展信息
Microsemi Corporation
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