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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥345.619777
10
¥326.056392
100
¥307.600368
500
¥290.189027
1000
¥273.763233
Microsemi Corporation APTGF50DH60TG
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- 对比
APTGF50DH60TG
1619-APTGF50DH60TG
晶体管 - IGBT - 模块
SP4
大陆
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IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APTGF50DH60TG详情
Microsemi Corporation APTGF50DH60TG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP4
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~150°C TJ
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
14
端子表面处理
锡银铜
最大功率耗散
250W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
14
资历状况
不合格
配置
不对称桥
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
250W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2.45V
最大集电极电流
65A
最大集极截止电流
250μA
输入电容
2.2nF
接通时间
52 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
151 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
2.2nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGF50DH60TG拓展信息
Microsemi Corporation
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