Microsemi Corporation APTGF50H60T2G
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APTGF50H60T2G
1619-APTGF50H60T2G
晶体管 - IGBT - 模块
SP3
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POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2
1最小包装量--
APTGF50H60T2G详情
Microsemi Corporation APTGF50H60T2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP3
引脚数
22
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
250W
配置
全桥逆变器
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
65A
最大集极截止电流
250μA
输入电容
2.2nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 50A
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
2.2nF @ 25V
VCEsat-最大值
2.45 V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGF50H60T2G拓展信息
Microsemi Corporation
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