Microsemi Corporation APTGF50H60T3G
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APTGF50H60T3G
1619-APTGF50H60T3G
晶体管 - IGBT - 模块
SP3
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POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3
1最小包装量--
APTGF50H60T3G详情
Microsemi Corporation APTGF50H60T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP3
引脚数
32
供应商器件包装
SP3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1V
Current-Collector (Ic) (Max)
65A
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
250W
配置
全桥逆变器
功率 - 最大
250W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
65A
最大集极截止电流
250μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
输入电容
2.2nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 50A
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
2.2nF @ 25V
高度
11.5mm
长度
73.4mm
宽度
40.8mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APTGF50H60T3G拓展信息
Microsemi Corporation
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