Microsemi Corporation APTGF75DA60D1G

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

D1

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C TJ

已出版

2003

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

355W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X7

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

355W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.45V

最大集电极电流

100A

最大集极截止电流

500μA

输入电容

3.3nF

接通时间

90 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.45V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

205 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

3.3nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准