Microsemi Corporation APTGF90DA60CT1G
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APTGF90DA60CT1G
1619-APTGF90DA60CT1G
晶体管 - IGBT - 模块
SP1
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Trans IGBT Module N-CH 600V 110A 12-Pin Case SP-1
1最小包装量--
APTGF90DA60CT1G详情
Microsemi Corporation APTGF90DA60CT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SP1
安装类型
底座安装
底架
Chassis Mount, Screw, Through Hole
引脚数
12
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
7
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
416W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
12
JESD-30代码
R-XUFM-X7
配置
Single
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
110A
最大集极截止电流
250μA
输入电容
4.3nF
接通时间
36 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
180 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
4.3nF @ 25V
VCEsat-最大值
2.5 V
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
APTGF90DA60CT1G拓展信息
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