Microsemi Corporation APTGF90DH60T3G

包装/外壳

SP3

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

2

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

11

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

416W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

25

JESD-30代码

R-XUFM-X11

资历状况

不合格

配置

不对称桥

元素配置

Dual

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

416W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

110A

最大集极截止电流

250μA

输入电容

4.3nF

接通时间

36 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

180 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

4.3nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准