Microsemi Corporation APTGLQ100A65T1G

工厂交货时间

36 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

SP1

引脚数

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

197 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

350W

配置

半桥

接通延迟时间

19 ns

功率 - 最大

350W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.3V

最大集电极电流

200A

最大集极截止电流

100μA

输入电容

6nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 100A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

6nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅