Microsemi Corporation APTGLQ200H65G
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APTGLQ200H65G
1619-APTGLQ200H65G
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MODULE 650V 270A 680W SP6
1最小包装量--
APTGLQ200H65G详情
Microsemi Corporation APTGLQ200H65G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
36 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
SP6
Current-Collector (Ic) (Max)
270A
操作温度
-40°C~175°C TJ
已出版
2016
零件状态
活跃
配置
全桥
功率 - 最大
680W
输入
Standard
最大集极截止电流
75μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 200A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
12.2nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGLQ200H65G拓展信息
Microsemi Corporation
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