Microsemi Corporation APTGLQ80HR120CT3G
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APTGLQ80HR120CT3G
1619-APTGLQ80HR120CT3G
晶体管 - IGBT - 模块
SP3
大陆
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APTGLQ80x Series 1200 V 150 A Phase Leg & Dual Common Emitter Power Module
--最小包装量--
APTGLQ80HR120CT3G详情
Microsemi Corporation APTGLQ80HR120CT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
SP3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
290 ns
操作温度
-40°C~175°C TJ
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
500W
接通延迟时间
30 ns
功率 - 最大
500W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2.4V
最大集电极电流
150A
最大集极截止电流
150μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
4.6nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 80A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
4.6nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APTGLQ80HR120CT3G拓展信息
Microsemi Corporation
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