Microsemi Corporation APTGT100A602G
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APTGT100A602G
1619-APTGT100A602G
晶体管 - IGBT - 模块
SP2
大陆
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Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 18-Pin Case SP-2
1最小包装量--
APTGT100A602G详情
Microsemi Corporation APTGT100A602G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
Screw, Through Hole
安装类型
通孔
包装/外壳
SP2
引脚数
18
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
操作温度
-40°C~175°C TJ
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
340W
配置
半桥
元素配置
Dual
功率 - 最大
340W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
150A
最大集极截止电流
50μA
输入电容
6.1nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 100A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
6.1nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGT100A602G拓展信息
Microsemi Corporation
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