Microsemi Corporation APTGT100DH170G

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

引脚数

8

供应商器件包装

SP6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7kV

Current-Collector (Ic) (Max)

150A

操作温度

-40°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

560W

配置

不对称桥

元素配置

Dual

功率 - 最大

560W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.7kV

最大集电极电流

150A

最大集极截止电流

350μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700V

输入电容

9nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 100A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

9nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准