Microsemi Corporation APTGT100TL170G
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APTGT100TL170G
1619-APTGT100TL170G
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6
1最小包装量--
APTGT100TL170G详情
Microsemi Corporation APTGT100TL170G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
36 Weeks
包装/外壳
Module
安装类型
底座安装
底架
Chassis Mount, Screw
引脚数
12
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.7kV
已出版
2012
操作温度
-40°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
560W
配置
三级逆变器
功率 - 最大
560W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2.4V
最大集电极电流
150A
最大集极截止电流
350μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
输入电容
9nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 100A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
9nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGT100TL170G拓展信息
Microsemi Corporation
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