Microsemi Corporation APTGT150DU60TG
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APTGT150DU60TG
1619-APTGT150DU60TG
晶体管 - IGBT - 模块
SP4
大陆
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Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 20-Pin Case SP-4
1最小包装量--
APTGT150DU60TG详情
Microsemi Corporation APTGT150DU60TG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP4
引脚数
4
供应商器件包装
SP4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Current-Collector (Ic) (Max)
225A
操作温度
-40°C~175°C TJ
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
480W
配置
Dual, Common Source
元素配置
Dual
功率 - 最大
480W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.9V
最大集电极电流
225A
最大集极截止电流
250μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
输入电容
9.2nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 150A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
9.2nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGT150DU60TG拓展信息
Microsemi Corporation
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