Microsemi Corporation APTGT75DA170D1G

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

D1

引脚数

5

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7kV

Number of Elements

1

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

520W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

7

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.7kV

最大集电极电流

120A

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700V

输入电容

6.5nF

接通时间

400 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

1200 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

6.5nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准