Microsemi Corporation APTGTQ200A65T3G
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APTGTQ200A65T3G
1619-APTGTQ200A65T3G
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MODULE 650V 200A 483W SP3F
1最小包装量--
APTGTQ200A65T3G详情
Microsemi Corporation APTGTQ200A65T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
36 Weeks
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
包装/外壳
Module
安装类型
底座安装
Current-Collector (Ic) (Max)
200A
已出版
2012
操作温度
-40°C~175°C TJ
零件状态
活跃
配置
半桥
功率 - 最大
483W
输入
Standard
最大集极截止电流
200μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 200A
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
12nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGTQ200A65T3G拓展信息
Microsemi Corporation
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