Microsemi Corporation APTGV100H60BTPG
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APTGV100H60BTPG
1619-APTGV100H60BTPG
晶体管 - IGBT - 模块
SP6
大陆
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IGBT MODULE 600V 150A 340W SP6P
1最小包装量--
APTGV100H60BTPG详情
Microsemi Corporation APTGV100H60BTPG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP6
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
4
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
21
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
340W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
21
JESD-30代码
R-XUFM-X21
资历状况
不合格
配置
Boost Chopper, Full Bridge
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.9V
最大集电极电流
150A
最大集极截止电流
250μA
输入电容
6.1nF
接通时间
180 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
370 ns
IGBT类型
NPT, Trench Field Stop
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
6.1nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGV100H60BTPG拓展信息
Microsemi Corporation
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