Microsemi Corporation APTGV50H60BG
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APTGV50H60BG
1619-APTGV50H60BG
晶体管 - IGBT - 模块
SP4
大陆
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Boost Chopper CoolMos 20-Pin Case SP-4
1最小包装量--
APTGV50H60BG详情
Microsemi Corporation APTGV50H60BG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP4
引脚数
20
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
4
已出版
2012
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
21
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
176W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
21
JESD-30代码
R-XUFM-X21
配置
Boost Chopper, Full Bridge
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
最大集极截止电流
250μA
输入电容
3.15nF
接通时间
170 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
310 ns
IGBT类型
NPT, Trench Field Stop
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
3.15nF @ 25V
VCEsat-最大值
2.45 V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGV50H60BG拓展信息
Microsemi Corporation
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