Microsemi Corporation APTM100UM45DAG

工厂交货时间

16 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

215A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

5000W Tc

Turn Off Delay Time

140 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

POWER MOS 7®

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

5

JESD-30代码

R-XUFM-X5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

5kW

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

52m Ω @ 107.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 30mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

42700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1602nC @ 10V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

215A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.052Ohm

雪崩能量等级（Eas）

3200 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准