Microsemi Corporation APTM20DAM08TG

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP4

引脚数

12

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

781W Tc

Turn Off Delay Time

88 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

208A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

已出版

2012

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

781W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

32 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 104A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

280nC @ 10V

上升时间

64ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

116 ns

连续放电电流(ID)

208A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

832A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准