Microsemi Corporation APTM20UM03FAG

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

580A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

88 ns

Power Dissipation (Max)

2270W Tc

已出版

2012

系列

POWER MOS 7®

包装

Bulk

操作温度

-40°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PUFM-X2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.27kW

接通延迟时间

32 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.6m Ω @ 290A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 15mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

43300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

840nC @ 10V

上升时间

64ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

116 ns

连续放电电流(ID)

580A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2320A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无