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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 DME375A
DME375A
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Microsemi Corporation DME375A

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  • 对比

型号

DME375A

品牌

Microsemi Corporation

utmel 编号

1619-DME375A

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

55AW

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 55V 30A 3-Pin Case 55AW-1

起订量

1最小包装量--

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DME375A
DME375A Microsemi Corporation Trans GP BJT NPN 55V 30A 3-Pin Case 55AW-1

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DME375A详情

技术参数

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型号对比

Microsemi Corporation DME375A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    22 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    55AW

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    55V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    200°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 最大功率耗散

    875W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 频率

    1.15GHz

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    875W

  • 输出功率

    375W

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    55V

  • 最大集电极电流

    30A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    10 @ 300mA 5V

  • 增益

    6.5dB

  • 频率转换

    1.025GHz~1.15GHz

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    4V

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Microsemi Corporation DME375A.

右边的3个型号有着和Microsemi Corporation & DME375A相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

MRF5812GR1

型号：MRF5812GR1

封装：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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