Microsemi Corporation ITC1100

工厂交货时间

22 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

55SW

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2000

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

3.4kW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

3

配置

SINGLE

功率耗散

3.4kW

功率 - 最大

3400W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

80A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 5A 5V

增益

10dB ~ 10.5dB

频率转换

1.03GHz

集电极基极电压(VCBO)

65V

发射极基极电压 (VEBO)

3.5V

最高频段

L B

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准