Microsemi Corporation JANSR2N7269U

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

12V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

操作温度

-55°C~150°C

包装

Tray

系列

Military, MIL-PRF-19500/603

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/603

JESD-30代码

R-PDSO-N3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 26A, 12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170nC @ 12V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-267AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

26A

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

DS 击穿电压-最小值

200V