Microsemi Corporation JTDB75

工厂交货时间

12 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

55AW

引脚数

55

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

55V

Current-Collector (Ic) (Max)

8A

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2016

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

220W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

R-CDFM-F2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1A 5V

增益

7dB ~ 8.2dB

频率转换

960MHz~1.215GHz

最高频段

L B

RoHS状态

符合RoHS标准