Microsemi Corporation MDS1100
- 收藏
- 对比
MDS1100
1619-MDS1100
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55TU-1
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 65V 100A 3-Pin Case 55TU-1
1最小包装量--
MDS1100详情
Microsemi Corporation MDS1100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Screw, Surface Mount
安装类型
表面贴装
包装/外壳
55TU-1
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
2006
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
8.75kW
引脚数量
3
功率 - 最大
8750W
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
100A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 5A 5V
增益
8.9dB
频率转换
1.03GHz
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
MDS1100拓展信息


















哦! 它是空的。