Microsemi Corporation MDS150

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

55AW

引脚数

55

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

350W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDFM-F3

配置

SINGLE

箱体转运

BASE

功率 - 最大

350W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

55V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 500mA 5V

增益

10dB

频率转换

1.03GHz~1.09GHz

集电极基极电压(VCBO)

55V

最高频段

L B

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准