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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MDS150
MDS150
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Microsemi Corporation MDS150

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  • 对比

型号

MDS150

品牌

Microsemi Corporation

utmel 编号

1619-MDS150

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

55AW

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 55V 10A 3-Pin Case 55AW Style 1

起订量

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MDS150
MDS150 Microsemi Corporation Trans GP BJT NPN 55V 10A 3-Pin Case 55AW Style 1

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MDS150详情

技术参数

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Microsemi Corporation MDS150重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    55AW

  • 引脚数

    55

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    60V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    200°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 最大功率耗散

    350W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDFM-F3

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    BASE

  • 功率 - 最大

    350W

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    55V

  • 最大集电极电流

    4A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    20 @ 500mA 5V

  • 增益

    10dB

  • 频率转换

    1.03GHz~1.09GHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    55V

  • 最高频段

    L B

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Microsemi Corporation MDS150.

MDS150拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

MRF5812GR1

型号：MRF5812GR1

封装：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

品牌：Microsemi Corporation

库存：180

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1090MP

型号：1090MP

封装：55FW-1

品牌：Microsemi Corporation

库存：0

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MRF586

型号：MRF586

封装：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

品牌：Microsemi Corporation

库存：0

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TAN250A

型号：TAN250A

封装：55AW

品牌：Microsemi Corporation

库存：0

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1014-6A

型号：1014-6A

封装：55LV

品牌：Microsemi Corporation

库存：0

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2N3866A

型号：2N3866A

封装：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

品牌：Microsemi Corporation

库存：39

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