Microsemi Corporation MRF581

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Micro-X ceramic (84C)

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

18V

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

1.25W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

频率

5GHz

基本部件号

MRF581

引脚数量

4

配置

SINGLE

功率耗散

1.25W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

18V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 50mA 5V

增益

13dB ~ 15.5dB

转换频率

5000MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

2.5V

集电极-基极电容-最大值

3pF

噪音数字(分贝类型@ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准