Microsemi Corporation MRF5812R1

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

1.25W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

配置

SINGLE

功率 - 最大

1.25W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 50mA 5V

增益

13dB ~ 15.5dB

转换频率

5000MHz

频率转换

5GHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

2pF

噪音数字(分贝类型@ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准