Microsemi Corporation MRF586

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

17V

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

频率

3GHz

引脚数量

3

配置

SINGLE

功率耗散

1W

输出功率

1W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 50mA 5V

增益

13.5dB

转换频率

3000MHz

集电极基极电压(VCBO)

35V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅