Microsemi Corporation MS1004

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago)

底架

Chassis Mount, Through Hole

安装类型

底座安装

包装/外壳

M177

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

55V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2003

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

330W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PRFM-F4

元素配置

共阴极

功率 - 最大

330W

正向电流

10A

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大集电极电流

40A

峰值反向电流

250μA

最大重复反向电压(Vrrm)

40V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 10A 6V

增益

14.5dB

峰值非恢复性浪涌电流

225A

频率转换

30MHz

最高频段

极高频率 b

集电极-基极电容-最大值

360pF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准