Microsemi Corporation MS1226
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MS1226
1619-MS1226
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
M113
大陆
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Trans GP BJT NPN 36V 4.5A 4-Pin Style M113
1最小包装量--
MS1226详情
Microsemi Corporation MS1226重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
工厂交货时间
32 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
M113
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
36V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
1998
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
80W
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
引脚数量
4
配置
SINGLE
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
36V
最大集电极电流
4.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 500mA 5V
增益
18dB
最高频率
30MHz
频率转换
30MHz
集电极基极电压(VCBO)
65V
最高频段
高频b
集电极-基极电容-最大值
65pF
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
MS1226拓展信息
















哦! 它是空的。