Microsemi Corporation MS1582
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MS1582
1619-MS1582
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
M173
大陆
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Trans GP BJT NPN 30V 8A 5-Pin Case M-173
1最小包装量--
MS1582详情
Microsemi Corporation MS1582重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
M173
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
2003
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
135W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDFM-F4
配置
SINGLE
箱体转运
EMITTER
功率 - 最大
135W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
8A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 3A 5V
增益
9dB
频率转换
470MHz~860MHz
集电极基极电压(VCBO)
45V
最高频段
超高频B型
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
MS1582拓展信息















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