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MS2200
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Microsemi Corporation MS2200

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  • 对比

型号

MS2200

品牌

Microsemi Corporation

utmel 编号

1619-MS2200

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

M102

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 65V 43.2A 5-Pin Case M-102

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MS2200
MS2200 Microsemi Corporation Trans GP BJT NPN 65V 43.2A 5-Pin Case M-102

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MS2200详情

技术参数

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Microsemi Corporation MS2200重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    M102

  • 引脚数

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    65V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    200°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 最大功率耗散

    1.167kW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F4

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    BASE

  • 功率 - 最大

    1167W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    65V

  • 最大集电极电流

    43.2A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    20 @ 5A 5V

  • 增益

    9.7dB

  • 最高频率

    500MHz

  • 频率转换

    400MHz~500MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    65V

  • 最高频段

    超高频B型

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Microsemi Corporation MS2200.

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2N5109
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索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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