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技术文档
型号
MS2202
品牌
Microsemi Corporation
utmel 编号
1619-MS2202
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
封装
M115
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans GP BJT NPN 0.25A 4-Pin Case M115
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MS2202详情
技术参数
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Microsemi Corporation MS2202重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
Chassis Mount, Surface Mount
安装类型
底座安装
包装/外壳
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
3.5V
Current-Collector (Ic) (Max)
250mA
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
2004
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
端子表面处理
锡铅
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
10W
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
引脚数量
配置
SINGLE
箱体转运
BASE
输出功率
2W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
最大集电极电流
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 100mA 5V
增益
9dB
最高频率
1.15GHz
频率转换
1.025GHz~1.15GHz
集电极基极电压(VCBO)
45V
最高频段
L B
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
技术文档: Microsemi Corporation MS2202.
MS2202拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:MRF5812GR1
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
品牌:Microsemi Corporation
库存:0
型号:1090MP
封装:55FW-1
型号:MRF586
封装:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
型号:TAN250A
封装:55AW
型号:1014-6A
封装:55LV
型号:2N3866A
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