Microsemi Corporation MS2393

包装/外壳

M138

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Number of Elements

1

已出版

2004

包装

Bulk

操作温度

200°C TJ

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

带发射极镇流电阻

最大功率耗散

583W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

2

JESD-30代码

S-CDFM-F2

配置

SINGLE

箱体转运

BASE

输出功率

150W

功率 - 最大

583W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

11A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 300mA 5V

增益

8.2dB

频率转换

1.025GHz~1.15GHz

集电极基极电压(VCBO)

65V

最高频段

L B

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅