Microsemi Corporation SD1013-03

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

M113

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

13W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

13W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 200mA 5V

增益

10dB

转换频率

150MHz

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

65V

最高频段

极高频率 b

集电极-基极电容-最大值

15pF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准