Microsemi Corporation SD1536-03

工厂交货时间

12 Weeks

底架

Chassis Mount, Surface Mount

安装类型

底座安装

包装/外壳

M115

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

292W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

引脚数量

4

配置

SINGLE

箱体转运

BASE

输出功率

90W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 100mA 5V

增益

8.4dB

最高频率

1.15GHz

频率转换

1.025GHz~1.15GHz

集电极基极电压(VCBO)

65V

最高频段

L B

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅