Microsemi Corporation SD1536-08
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SD1536-08
1619-SD1536-08
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
M105
大陆
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Trans GP BJT NPN 65V 10A 3-Pin Case M-105
1最小包装量--
SD1536-08详情
Microsemi Corporation SD1536-08重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
M105
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
292W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
2
JESD-30代码
S-CDFM-F2
配置
SINGLE
箱体转运
BASE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
10A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
5 @ 100mA 5V
增益
8.4dB
最高频率
1.15GHz
转换频率
1025MHz
频率转换
1.025GHz~1.15GHz
集电极基极电压(VCBO)
65V
最高频段
L B
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
SD1536-08拓展信息














哦! 它是空的。