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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 SD1536-08
SD1536-08
SD1536-08

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Microsemi Corporation SD1536-08

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型号

SD1536-08

品牌

Microsemi Corporation

utmel 编号

1619-SD1536-08

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

M105

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 65V 10A 3-Pin Case M-105

起订量

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SD1536-08
SD1536-08 Microsemi Corporation Trans GP BJT NPN 65V 10A 3-Pin Case M-105

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SD1536-08详情

技术参数

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Microsemi Corporation SD1536-08重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    M105

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    65V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    200°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 最大功率耗散

    292W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    S-CDFM-F2

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    BASE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    65V

  • 最大集电极电流

    10A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    5 @ 100mA 5V

  • 增益

    8.4dB

  • 最高频率

    1.15GHz

  • 转换频率

    1025MHz

  • 频率转换

    1.025GHz~1.15GHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    65V

  • 最高频段

    L B

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Microsemi Corporation SD1536-08.

SD1536-08拓展信息

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2N5109
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索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

MRF5812GR1

型号：MRF5812GR1

封装：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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型号：1014-6A

封装：55LV

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型号：2N3866A

封装：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

品牌：Microsemi Corporation

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