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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 TAN300
TAN300
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Microsemi Corporation TAN300

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型号

TAN300

品牌

Microsemi Corporation

utmel 编号

1619-TAN300

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

55KT

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 65V 20A 3-Pin Case 55KT-1

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TAN300
TAN300 Microsemi Corporation Trans GP BJT NPN 65V 20A 3-Pin Case 55KT-1

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TAN300详情

技术参数

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型号对比

Microsemi Corporation TAN300重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    55KT

  • 引脚数

    55

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    65V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    200°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 最大功率耗散

    1.166kW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 配置

    SINGLE

  • 功率 - 最大

    1166W

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    65V

  • 最大集电极电流

    20A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    10 @ 1mA 5V

  • 增益

    6.6dB

  • 最高频率

    1.215GHz

  • 频率转换

    960MHz~1.215GHz

  • 最高频段

    L B

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Microsemi Corporation TAN300.

右边的3个型号有着和Microsemi Corporation & TAN300相似的参数规格。

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索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

MRF5812GR1

型号：MRF5812GR1

封装：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

品牌：Microsemi Corporation

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1090MP

型号：1090MP

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型号：TAN250A

封装：55AW

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型号：1014-6A

封装：55LV

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型号：2N3866A

封装：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

品牌：Microsemi Corporation

库存：39

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