Microsemi Corporation TAN500
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TAN500
1619-TAN500
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55ST
大陆
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Trans GP BJT NPN 65V 50A 3-Pin Case 55ST-1
1最小包装量--
TAN500详情
Microsemi Corporation TAN500重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
55ST
引脚数
55
供应商器件包装
55ST
Collector-Emitter Breakdown Voltage
75V
Current-Collector (Ic) (Max)
50A
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
2.5kW
极性
NPN, PNP
功率 - 最大
2500W
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
50A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 1A 5V
增益
9dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
75V
最高频率
1.215GHz
频率转换
960MHz~1.215GHz
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
TAN500拓展信息

















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