Microsemi Corporation TCS1200

工厂交货时间

32 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

55TU-1

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Current-Collector (Ic) (Max)

60A

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

2.095kW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XDFM-F2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

BASE

功率 - 最大

2095W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大集电极电流

60A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1A 5V

增益

10.2dBd

频率转换

1.03GHz

最高频段

L B

RoHS状态

符合RoHS标准