Microsemi Corporation TCS800
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TCS800
1619-TCS800
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55SM
大陆
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RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SM
1最小包装量--
TCS800详情
Microsemi Corporation TCS800重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
32 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
55SM
引脚数
55
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Current-Collector (Ic) (Max)
50A
Number of Elements
1
操作温度
230°C TJ
包装
Bulk
已出版
2005
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
1.944kW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1944W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最大集电极电流
50A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 5A 5V
增益
8dB ~ 9dB
频率转换
1.03GHz
最高频段
L B
RoHS状态
符合RoHS标准
TCS800拓展信息















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