Microsemi Corporation UTV8100B

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

55RT

引脚数

55

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

2

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

290W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

4

JESD-30代码

R-CDFM-F4

配置

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1A 5V

增益

8.5dB ~ 9.5dB

最高频率

860MHz

频率转换

470MHz~860MHz

集电极基极电压(VCBO)

65V

最高频段

超高频B型

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准