Nexperia USA Inc. PBSS8110Z,135

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Power Dissipation (Max)

1.4W

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

PBSS8110

电压

100V

元素配置

Single

电流

1A

功率耗散

1.4W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 250mA 10V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 100mA, 1A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.7mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅