Nexperia USA Inc. PDTD113EQAZ

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XDFN Exposed Pad

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

已出版

2014

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

最大功率耗散

325mW

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

325mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

100mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

33 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

100mV @ 2.5mA, 50mA

转换频率

210MHz

频率转换

210MHz

电阻基(R1)

1 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

1 k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant