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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.282557
10
¥0.266564
100
¥0.251476
500
¥0.23724
1000
¥0.223812
Nexperia USA Inc. PUMD12,115
- 收藏
- 对比
PUMD12,115
1729-PUMD12,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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NEXPERIA - PUMD12,115 - Transistor num./pré-polarisé bipolaire, BRT, Complément NPN et PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PUMD12,115详情
Nexperia USA Inc. PUMD12,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.95
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MD12
引脚数量
6
资历状况
不合格
极性
NPN, PNP
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
300mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
230MHz 180MHz
电阻基(R1)
47k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PUMD12,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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