Nexperia USA Inc. PUMD13,115
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PUMD13,115
1729-PUMD13,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
--最小包装量--
PUMD13,115详情
Nexperia USA Inc. PUMD13,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型
表面贴装
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
100
Number of Elements
2
Collector-Emitter Saturation Voltage
100mV
已出版
2005
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MD13
引脚数量
6
资历状况
不合格
极性
NPN, PNP
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 250μA, 5mA
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最大结点温度(Tj)
150°C
电阻基(R1)
4.7k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
环境温度范围高
150°C
高度
1.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PUMD13,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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